場效應管又稱
場效應晶體管是利用電場效應來控制晶體管的電流，因而得名。它只有一種載流子參與導電的半導體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。從參與導電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應管的結構來劃分，有結型場效應（JFET）和絕緣柵型場效應管（MOS管）之分。
場效應管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當于雙極型三極管的發(fā)射極。場效應管屬于電壓控制型半導體器件，具有輸入電阻高（10七次方～10十五次方Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
結型場效應管
結型場效應管的分類：結型場效應管有兩種結構形式，它們是N溝道結型場效應管和P溝道結型場效應管。結型場效應管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。N溝道結型場效應管的結構是在N型半導體硅片的兩側各制造一個PN結，形成兩個PN結夾著一個N型溝道的結構。兩個P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。
絕緣柵場效應三極管則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。它是由金屬、氧化物和半導體所組成（柵極為金屬鋁），所以又稱為金屬—氧化物—半導體場效應管，簡稱MOS場效應管。
絕緣柵場效應三極管分為：
耗盡型（DMOS）：N溝道、P溝道;增強型(EMOS)：N溝道、P溝道.
增強型MOS場效應管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應管其源極和漏極接在N型半導體上，同樣對于P溝道的場效應管其源極和漏極則接在P型半導體上。場效應管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應管的原因。
上述就是
國創(chuàng)關于場效應晶體管簡單認識，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關于場效應晶體管的相關信息的話，歡迎在線咨詢我們國創(chuàng)客服或是撥打服務熱線029-85251919進行咨詢，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務！
