場效應(yīng)管又稱
場效應(yīng)晶體管是利用電場效應(yīng)來控制晶體管的電流，因而得名。它只有一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)體器件，是一種用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。從參與導(dǎo)電的載流子來劃分，它有電子作為載流子的N溝道器件和空穴作為載流子的P溝道器件。從場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)來劃分，有結(jié)型場效應(yīng)（JFET）和絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）之分。
場效應(yīng)管有三個電極：D(Drain)稱為漏極，相當(dāng)雙極型三極管的集電極；G(Gate)稱為柵極，相當(dāng)于雙極型三極管的基極；S(Source)稱為源極，相當(dāng)于雙極型三極管的發(fā)射極。場效應(yīng)管屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（10七次方～10十五次方Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者。
結(jié)型場效應(yīng)管
結(jié)型場效應(yīng)管的分類：結(jié)型場效應(yīng)管有兩種結(jié)構(gòu)形式，它們是N溝道結(jié)型場效應(yīng)管和P溝道結(jié)型場效應(yīng)管。結(jié)型場效應(yīng)管也具有三個電極，它們是：柵極；漏極；源極。N溝道結(jié)型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)是在N型半導(dǎo)體硅片的兩側(cè)各制造一個PN結(jié)，形成兩個PN結(jié)夾著一個N型溝道的結(jié)構(gòu)。兩個P區(qū)即為柵極，N型硅的一端是漏極，另一端是源極。
絕緣柵場效應(yīng)三極管則因柵極與其它電極完全絕緣而得名。它是由金屬、氧化物和半導(dǎo)體所組成（柵極為金屬鋁），所以又稱為金屬—氧化物—半導(dǎo)體場效應(yīng)管，簡稱MOS場效應(yīng)管。
絕緣柵場效應(yīng)三極管分為：
耗盡型（DMOS）：N溝道、P溝道;增強型(EMOS)：N溝道、P溝道.
增強型MOS場效應(yīng)管可分為NPN型PNP型。NPN型通常稱為N溝道型，PNP型也叫P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。
上述就是
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