場效應晶體管是一種基于半導體材料的電子元件，它是通過控制半導體中的載流子密度來控制電流的。它有三個電極：漏極、源極和柵極。其中，漏極和源極之間形成了一個由半導體構成的導電通道，通過控制柵極的電場，可以控制通道中的電子數量，從而控制漏極和源極之間的電流。
場效應晶體管具有以下特點：
輸入電阻高：由于FET的柵極與半導體之間是一個大面積的PN結，所以柵極電阻非常高，輸入電阻也就非常高，通常在幾百MΩ到幾GΩ之間，比雙極型晶體管高得多。
噪聲低：由于輸入電阻高，FET的噪聲比雙極型晶體管低很多，特別是在低頻和中頻區(qū)域，可以有效降低電路噪聲。
帶寬高：由于FET的輸入電阻高，電容小，因此在高頻區(qū)域可以工作得更好，具有更高的帶寬。
功耗低：FET的輸出電流非常小，所以它的功耗也非常低，適合用于低功耗應用中。
開關速度快：FET的載流子移動速度很快，因此可以實現很高的開關速度。
可靠性高：FET沒有移動部件，因此壽命比雙極型晶體管更長，而且更耐高溫。
上述就是
國創(chuàng)整理的場效應晶體特點。如果您想要了解更多關于場效應晶體管的相關信息的話，歡迎在線咨詢我們國創(chuàng)客服或是撥打服務熱線029-85251919進行咨詢，我們將竭誠為您提供優(yōu)質的服務！
