肖特基二極管是由貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)制成的金屬半導(dǎo)體器件。A作為正電極，N型半導(dǎo)體B作為負(fù)電極，并利用在兩者的接觸表面上形成的勢壘的整流特性。因為在N型半導(dǎo)體中有大量的電子，而在貴金屬中只有非常少量的自由電子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金屬A中沒有空穴，因此沒有空穴從A到B的擴散運動。隨著電子繼續(xù)從B擴散到A，B表面上的電子濃度逐漸降低，表面的電中性被破壞，從而形成電場方向為BA的勢壘。然而，在該電場的作用下，A中的電子也將產(chǎn)生從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當(dāng)建立一定寬度的空間電荷區(qū)時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，從而形成肖特基勢壘。
典型的肖特基整流器的內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)基于N型半導(dǎo)體，在其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料制成，以形成阻擋層。二氧化硅(二氧化硅)用于消除邊緣區(qū)域的電場并提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的導(dǎo)通電阻，并且其摻雜濃度比H層的摻雜濃度高100%。在襯底下面形成一個氮陰極層，以降低陰極的接觸電阻。如圖所示，通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，在N型襯底和陽極金屬之間形成肖特基勢壘。當(dāng)正向偏置電壓施加到肖特基勢壘的兩端時(陽極金屬連接到電源的陽極，并且N型襯底連接到電源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，并且其內(nèi)部電阻變得更小。另一方面，如果反向偏壓被施加到肖特基勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，并且其內(nèi)部電阻變大。
肖特基二極管的結(jié)構(gòu)原理與PN結(jié)整流管有很大不同。PN結(jié)整流管通常被稱為結(jié)整流管，而金屬半導(dǎo)管整流管被稱為肖特基整流管。用硅平面工藝制造的鋁硅肖特基二極管也已問世，它不僅可以節(jié)約貴金屬，大大降低成本，還可以提高參數(shù)的一致性。
上述就是
國創(chuàng)電子講解的就是肖特基二極管的命名由來，希望看完能夠?qū)δ兴鶐椭?，如果您想要了解更多關(guān)于肖特基二極管的相關(guān)信息的話，歡迎在線咨詢客服或是撥打本公司服務(wù)熱線029-85251919進行咨詢，我們將竭誠為您提供優(yōu)質(zhì)的服務(wù)！
