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國創(chuàng)淺談功率放大器的工藝

  功率放大器是指在給定失真率條件下,能產生最大功率輸出以驅動某一負載的放大器。功率放大器在整個音響系統(tǒng)中起到了“組織、協(xié)調”的樞紐作用,在某種程度上主宰著整個系統(tǒng)能否提供良好的音質輸出。

  功率放大器可以說是各類音響器材中最大的一個家族了,其作用主要是將音源器材輸入的較微弱信號進行放大后,產生足夠大的電流去推動揚聲器進行聲音的重放。由于考慮功率、阻抗、失真、動態(tài)以及不同的使用范圍和控制調節(jié)功能,不同的功放在內部的信號處理、線路設計和生產工藝上也各不相同。

  功率放大是利用三極管的電流控制作用或場效應管的電壓控制作用將電源的功率轉換為按照輸入信號變化的電流。因為聲音是不同振幅和不同頻率的波,即交流信號電流,三極管的集電極電流永遠是基極電流的β倍,β是三極管的交流放大倍數(shù),應用這一點,若將小信號注入基極,則集電極流過的電流會等于基極電流的β倍,然后將這個信號用隔直電容隔離出來,就得到了電流(或電壓)是原先的β倍的大信號,這現(xiàn)象成為三極管的放大作用。經過不斷的電流及電壓放大,就完成了功率放大。

  在通信設備中,一個多級放大器的最后一級總要帶上一定的負載,例如使揚聲器發(fā)出聲音,或者接到長途線路上使信號能作遠距離的傳輸?shù)?,這就要求放大器輸出一定的信號功率。因此這一級放大器就稱為功率放大器。

  目前功率放大器的主流工藝依然是GaAs工藝。另外,GaAs HBT,砷化鎵異質結雙極晶體管。其中HBT(heterojuncTIon bipolar transistor,異質結雙極晶體管)是一種由砷化鎵(GaAs)層和鋁鎵砷(AlGaAs)層構成的雙極晶體管。

  CMOS工藝雖然已經比較成熟,但Si CMOS功率放大器的應用并不廣泛。成本方面,CMOS工藝的硅晶圓雖然比較便宜,但CMOS功放版圖面積比較大,再加上CMOS PA復雜的設計所投入的研發(fā)成本較高,使得CMOS功放整體的成本優(yōu)勢并不那么明顯。性能方面,CMOS功率放大器在線性度,輸出功率,效率等方面的性能較差,再加上CMOS工藝固有的缺點:膝點電壓較高、擊穿電壓較低、CMOS工藝基片襯底的電阻率較低。

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