幾乎現(xiàn)階段每個完整的電子產(chǎn)品中都離不開放大器，而放大器性能的提高對電子產(chǎn)品的功能起著重要的決定作用。全球
功率放大器市場主要發(fā)展趨勢是：晶圓尺寸增大；初創(chuàng)企業(yè)采用CMOS技術(shù)；國防領域的高速放大器需求逐漸增大：利用InGaP工藝，實現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率。
晶圓尺寸變大。半導體行業(yè)見證了過去40年晶圓尺寸的變化，砷化鎵（GaAs）晶圓尺寸從50mm增大到150mm，制造成本降低了20%～25%。目前，業(yè)界制造功率放大器通常采用150mm晶圓。業(yè)內(nèi)正在開發(fā)200mm晶圓技術(shù)。斯坦福大學研究人員正在研究降低200mm GaAs晶圓的價格，使其可以以較低的價格與硅晶圓爭奪市場。同時這也對掩膜版檢測設備登晶圓制造設備提出需求。
初創(chuàng)公司采用CMOS技術(shù)。一些初創(chuàng)企業(yè)，如Acco Semiconductor，正越來越多的采用CMOS技術(shù)。Acco Semiconductor抓住移動手機和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品對射頻功率放大器巨大需求的機會，已經(jīng)投資350億美元擴展其基于CMOS的射頻功率放大器業(yè)務。目前絕大多數(shù)功率放大器采用鍺硅（SiGe）或GaAs技術(shù)，而非CMOS。但根據(jù)報告可知，基于CMOS工藝有助于實現(xiàn)低成本、高性能的功率放大器。
國防領域需要高速放大器。J事領域需要更高效的利用頻譜，更多的使用移動設備來通信。因此，Technavio公司稱，J事領域要求高速功率放大器。美國國防先期研究計劃局（DARPA）在太赫茲電子項目中已取得進展，即美國諾·格公司開發(fā)了出固態(tài)功率放大器和行波管放大器，這是僅有的兩款太赫茲頻率產(chǎn)品。太赫茲頻段的功率放大器可用于許多領域，包括高分辨率安全成像、高數(shù)據(jù)速率通信、防撞雷達、遠距離危險化學品和爆炸物探測系統(tǒng)等，這些設備的高速率運行要求必須使用高速放大器。
利用InGaP工藝，實現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率。InGaP特別適合要求相當高功率輸出的高頻應用。InGaP工藝的改進讓產(chǎn)量得到了提高，并帶來了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。這樣既簡化了系統(tǒng)設計，降低了原材料成本，也節(jié)省了板空間。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制電路的多芯片封裝。如今，在接收端集成了PA和低噪音放大器（LNA）并結(jié)合了RF開關(guān)的前端WLAN模塊已經(jīng)可以采用精簡型封裝。例如，ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工藝可以在同一個InGaP芯片上集成雙極晶體管和場效應晶體管。這一技術(shù)正被用于尺寸和PAE（功率增加效率）有所改進的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
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