幾乎現(xiàn)階段每個(gè)完整的電子產(chǎn)品中都離不開(kāi)放大器，而放大器性能的提高對(duì)電子產(chǎn)品的功能起著重要的決定作用。全球
功率放大器市場(chǎng)主要發(fā)展趨勢(shì)是：晶圓尺寸增大；初創(chuàng)企業(yè)采用CMOS技術(shù)；國(guó)防領(lǐng)域的高速放大器需求逐漸增大：利用InGaP工藝，實(shí)現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率。
晶圓尺寸變大。半導(dǎo)體行業(yè)見(jiàn)證了過(guò)去40年晶圓尺寸的變化，砷化鎵（GaAs）晶圓尺寸從50mm增大到150mm，制造成本降低了20%～25%。目前，業(yè)界制造功率放大器通常采用150mm晶圓。業(yè)內(nèi)正在開(kāi)發(fā)200mm晶圓技術(shù)。斯坦福大學(xué)研究人員正在研究降低200mm GaAs晶圓的價(jià)格，使其可以以較低的價(jià)格與硅晶圓爭(zhēng)奪市場(chǎng)。同時(shí)這也對(duì)掩膜版檢測(cè)設(shè)備登晶圓制造設(shè)備提出需求。
初創(chuàng)公司采用CMOS技術(shù)。一些初創(chuàng)企業(yè)，如Acco Semiconductor，正越來(lái)越多的采用CMOS技術(shù)。Acco Semiconductor抓住移動(dòng)手機(jī)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品對(duì)射頻功率放大器巨大需求的機(jī)會(huì)，已經(jīng)投資350億美元擴(kuò)展其基于CMOS的射頻功率放大器業(yè)務(wù)。目前絕大多數(shù)功率放大器采用鍺硅（SiGe）或GaAs技術(shù)，而非CMOS。但根據(jù)報(bào)告可知，基于CMOS工藝有助于實(shí)現(xiàn)低成本、高性能的功率放大器。
國(guó)防領(lǐng)域需要高速放大器。J事領(lǐng)域需要更高效的利用頻譜，更多的使用移動(dòng)設(shè)備來(lái)通信。因此，Technavio公司稱，J事領(lǐng)域要求高速功率放大器。美國(guó)國(guó)防先期研究計(jì)劃局（DARPA）在太赫茲電子項(xiàng)目中已取得進(jìn)展，即美國(guó)諾·格公司開(kāi)發(fā)了出固態(tài)功率放大器和行波管放大器，這是僅有的兩款太赫茲頻率產(chǎn)品。太赫茲頻段的功率放大器可用于許多領(lǐng)域，包括高分辨率安全成像、高數(shù)據(jù)速率通信、防撞雷達(dá)、遠(yuǎn)距離危險(xiǎn)化學(xué)品和爆炸物探測(cè)系統(tǒng)等，這些設(shè)備的高速率運(yùn)行要求必須使用高速放大器。
利用InGaP工藝，實(shí)現(xiàn)功率放大器的低功耗和高效率。InGaP特別適合要求相當(dāng)高功率輸出的高頻應(yīng)用。InGaP工藝的改進(jìn)讓產(chǎn)量得到了提高，并帶來(lái)了更高程度的集成，使芯片可以集成更多功能。這樣既簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低了原材料成本，也節(jié)省了板空間。有些InGaP PA也采用包含了CMOS控制電路的多芯片封裝。如今，在接收端集成了PA和低噪音放大器（LNA）并結(jié)合了RF開(kāi)關(guān)的前端WLAN模塊已經(jīng)可以采用精簡(jiǎn)型封裝。例如，ANADIGICS公司提出的InGaP-Plus工藝可以在同一個(gè)InGaP芯片上集成雙極晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這一技術(shù)正被用于尺寸和PAE（功率增加效率）有所改進(jìn)的新型CDMA和WCDMA功率放大器。
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