西安國(guó)創(chuàng)電子股份有限公司
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參數(shù)名稱
擊穿
電壓
反向
電流
結(jié)電容
電容
變比
優(yōu)
值
截至
頻率
封裝
類型
符號(hào)
V(BR)
IR
Cj(0)
γ1
γ2
γ3
Q
fc
一
測(cè)試條件
IR=10μA
VR=30V
VR=0V
f=1MHz
Cj0/Cj(-6)
Cj-13/Cj(-6)
Cj-35/Cj(-6)
VR=6V
f=500MHz
單位
V
μA
pF
GHz
型號(hào)\極限值
最小
最大
WB1006H
1
1.5~2.5
1.2~1.7
0.75~0.95
50
T3011
WB1007H
60
0.7~0.9
30
T556
WB1008H
5.0~7.0
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