硅功率變?nèi)荻O管主要電特性參數(shù)（TA=25℃)

參數(shù)名稱

擊穿

電壓

反向

電流

結(jié)電容

電容

變比

電容

變比

電容

變比

優(yōu)

值

截至

頻率

封裝

類型

符號

V_(BR)

I_R

C_j(0)

γ1

γ2

γ3

Q

f_c

一

測試條件

I_R=10μA

V_R=30V

V_R=0V

f=1MHz

C_j0/C_j(-6)

C_j-13/C_j(-6)

C_j-35/C_j(-6)

V_R=6V

f=500MHz

V_R=6V

f=500MHz

一

單位

V

μA

pF

一

一

一

一

GHz

一

型號\極限值

最小

最大

最大

最小

最小

最小

最小

最小

一

WB1006H

一

1

1.5~2.5

1.2~1.7

0.75~0.95

一

一

50

T3011

WB1007H

60

一

1.5~2.5

1.2~1.7

一

0.7~0.9

30

一

T556

WB1008H

50

一

5.0~7.0

1.2~1.7

一

0.7~0.9

50

一

T556