達林頓晶體管一般指達林頓管又稱復(fù)合管。它串聯(lián)連接兩個晶體管以形成等效的新晶體管。該等效三極管的放大倍數(shù)是原始兩個三極管的乘積，因此具有高放大倍數(shù)的特征。
達林頓管的作用通常是在高靈敏度放大電路（例如大功率開關(guān)電路）中放大很小的信號。在電子電路設(shè)計中，達林頓連接通常用于功率放大器和穩(wěn)壓電源。達林頓管中的**個晶體管在發(fā)射極跟隨器模式下工作，以放大輸入電流并增加輸入阻抗。這允許達林頓管由普通的TTL和CMOS門電路驅(qū)動。為了使達林頓管飽和，輸入電壓須高于Vbe的兩倍。此外，當(dāng)達林頓飽和時，其C和E之間的電壓需要維持**級三極管的工作電壓，該電壓也比普通三極管的飽和電壓（約0.2V）高得多，通常更高要過0.65V。在大電流下，該電壓會更高，這會大大增加達林頓管在開-關(guān)狀態(tài)下的功耗。
達林頓晶體管的基極足夠靈敏，可以響應(yīng)來自開關(guān)或直接來自TTL或5V CMOS邏輯門的全小輸入電流。全達林頓對的大集電極電流Ic（max）與主開關(guān)晶體管TR 2的大集電極電流Ic（max）相同，因此可用于操作繼電器，直流電動機，螺線管和燈等。
達林頓晶體管對的主要缺點之一是在完全飽和時基極和發(fā)射極之間的小壓降。完全導(dǎo)通時，飽和電壓降在0.3v至0.7v之間時，與單個晶體管不同，達林頓器件的基極-發(fā)射極電壓降是基極-發(fā)射極電壓降的兩倍，而基極-發(fā)射極電壓則是基極-發(fā)射極電壓的兩倍。極間的壓降增加了一倍（1.2 V而不是0.6 V）。兩個單獨的晶體管的基極-發(fā)射極二極管壓降的總和，取決于通過晶體管的電流，可以在0.6v至1.5v之間。
對于給定的負(fù)載電流，這種高的基極-發(fā)射極壓降意味著達林頓晶體管會比普通的雙極晶體管變熱，因此需要良好的散熱性。而且，達林頓晶體管具有較慢的開-關(guān)響應(yīng)時間，因為從晶體管TR1將主晶體管TR2完全導(dǎo)通或完全截止所花費的時間更長。
上述就是
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