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國創(chuàng)分立器件是什么意思

  分立器件是半導體的一個分支。要想理解分立器件是什么,我們首先要知道分立器件的出現(xiàn)時間。分立器件的出現(xiàn)時間比集成電路要早得多,**個二極管出現(xiàn)于1947年,比最早的集成電路早大約10年時間,集成電路是將大量電子元件包括分立器件集成于一塊晶片上形成的。

  眾所周知,半導體發(fā)展的歷程是集成度不斷提升的過程,半導體廠商采用更為先進的制程工藝,將更多電路中所需的PN結(jié)(半導體電路最小基礎(chǔ)單元)集成在一小塊晶片上。芯片的集成帶來了更高的性能,如邏輯芯片的制程不斷提高使得算力不斷增強,但對于實現(xiàn)一些特定功能,如高速開關(guān)、穩(wěn)壓等要求的半導體產(chǎn)品,出于集成難度、穩(wěn)定性與成本的要求,對制程的追求并不強烈,于是維持最初的形式保留下來,這就是當下分立器件的由來。

  如果說集成電路是將成千上萬個PN結(jié)刻到一塊晶片上,而分立器件只在晶片上形成一個或少量的PN結(jié),實現(xiàn)一些相對簡單的功能。

  分立器件可細分為功率器件與小信號器件,兩者均起到整流、穩(wěn)壓、開關(guān)、變頻等功能,兩者的區(qū)別在于功率的大小。小信號器件市場份額的占比較小,因此大量資料將分立器件與功率器件等同。功率器件可進一步根據(jù)結(jié)構(gòu)細分為二極管、晶體管與晶閘管,晶體管則可分為MOSFET(場效應晶體管)、IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)、雙極型晶體管與其它晶體管。二極管、IGBT與MOSFET的市場份額據(jù)WSTS統(tǒng)計占80%以上。

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