特點(diǎn)
正向壓降??；開(kāi)關(guān)速度快；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形為MELF和D2-05A型玻璃封裝，體積小，重量輕；
可替代國(guó)外產(chǎn)品：1N5817~1N5819.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611；
2DK5819：JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ22105-2009，GJB33A-1997；CASTC級(jí)，CASTPSW10/234-2011；
2DK5819UR:JCT級(jí)，Q/RBJ21099-2013；
最大額定值
型號(hào)/參數(shù)值 | VRWM(V) | IFM(A) | IFSM(A) | TjM(℃) | Tstg(℃) |
2DK5817 | 20 |
1.0 |
25 |
125 |
-65~150 |
2DK5818 | 30 |
2DK5819 | 45 |
