特點
正向壓降??；整流效率高；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形為D2-03B型玻璃封裝，體積小，重量輕；
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
最大額定值
型號/參數(shù)值 | VBR(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | Tstg(℃) |
2DK1100 | 100 | 80 | 1000 | 10 |
-55~150 |
2DK1120 | 120 | 100 |
2DK1150 | 150 | 130 |
2DK1100L | 100 | 80 | 1500 | 15 |
2DK1120L | 120 | 100 |
2DK1150L | 150 | 130 |
