特點(diǎn)
正向壓降?。环聪蚧謴?fù)時(shí)間短；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形為Mini-MELF(DO-213AA)型玻璃封裝，體積小，重量輕；
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611；
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ30005-2010，GJB33A-1997；
最大額定值
型號(hào)/參數(shù)值 | VRM(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | TjM(℃) | Tstg(℃) |
2DK030AUR | 20 | 16 | 30 | 0.3 | 150 | -55~150 |
2DK030BUR | 70 | 50 | 30 | 0.3 |
