特點(diǎn)
正向壓降??；反向恢復(fù)時(shí)間短；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形為MELF(D0-213AB)型玻璃封裝，體積小，重量輕；
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ30006-2010，GJB33A-1997.
最大額定值
型號/參數(shù)值 | VRM(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | TjM(℃) | Tstg(℃) |
2DK120UR | 20 | 16 | 1.0 | 10 | 150 | -55~150 |
2DK140UR | 40 | 30 |
2DK160UR | 60 | 45 |
