特點
正向壓降??；反向恢復時間短；
芯片采用硅外延平面結構；
可提供封裝外形為MELF(D0-213AB)型玻璃封裝，體積小，重量輕；
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611；
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ30006-2010，GJB33A-1997.
最大額定值
型號/參數值 | VRM(V) | VRWM(V) | IFM(mA) | IFSM(A) | TjM(℃) | Tstg(℃) |
2DK180UR | 80 | 60 | 1.0 | 10 | 150 | -55~150 |
2DK1100UR | 100 | 80 |
