特點
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
封裝形式：金屬陶瓷封裝（SMD-0.1）
該系列產(chǎn)品為單芯二級管，產(chǎn)品型號后加綴“S”
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃
工作溫度Tamb：-55℃~125℃
型號/ 參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK2150SU | 2 | ≥150 | 120 | 30 | 0.1 | ≤0.75 |
2DK2200SU | ≥200 | 160 | ≤0.80 |
2DK3150SU | 3 | ≥150 | 120 | ≤0.80 |
2DK3200SU | ≥200 | 160 | ≤0.85 |
2DK4150SU | 4 | ≥150 | 120 | 30 | 0.1 | ≤0.85 |
2DK4200SU | ≥200 | 160 | ≤0.90 |
2DK5150SU | 5 | ≥150 | 120 | ≤0.90 |
2DK5200SU | ≥200 | 160 | ≤0.95 |
