特點

　　正向導通損耗?。徽驂航档?；

　　芯片采用硅外延平面結構；

　　封裝形式：金屬陶瓷封裝（SMD-0.1帶引線）

　　質量等級及執(zhí)行標準

　　H、G+級，QZJ840611；

　　2DK3150:JP、JT、JCT、JCT/K+級，Q/RBJ21071-2011。

　　最大額定值和電特性

　　貯存溫度T_stg：-55℃~150℃;

　　工作溫度T_amb：-55℃~125℃。

型號/ 參數(shù)	最大額定值				主要電特性
	IFM(A)	VBR(V)	VRWM(V)	IFSM(A)	IR(mA)	VFM(V)
		IR=0.1mA		tp=10ms	VR=130V	IF=IFM
2DK3150	3	≥150	130	10	≤1.0	≤0.78