特點
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結構；
可提供封裝外形有：金屬陶瓷封裝（SMD-0.5，SMD-1）金屬通孔插裝（TO-257）、金屬圓帽封裝（B2-01B）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
H、G+級，QJ/01-RBJ010H1-1999,QZJ840611；
2DK12：JP、JT、JCT級，ZZR-QJ/01RBJ019-1999;
2DK13：JP、JT、JCT級，ZZR-QJ/01RBJ010B-1999;
2DK14：JP、JT、JCT級，ZZR-QJ/01RBJ011B-1999;
2DK12：JY1級，ZZR(Z)-Q/RBJ22008-2007;
2DK13、2DK14：JCT級（可靠性增長），Q/RBJ22004-2003。
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃；
工作溫度Tamb：-55℃~125℃。
型號/參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK12 | A | 3 | ≥60 | 50 |
30 |
≤0.1 |
≤0.65 |
B | ≥70 | 60 |
C | ≥80 | 70 |
2DK13 | A | 5 | ≥20 | 15 |
60 |
≤0.1 |
≤0.65 |
B | ≥35 | 30 |
C | ≥45 | 40 |
D | ≥60 | 50 |
50 |
≤0.1 |
E | ≥70 | 60 |
F | ≥80 | 70 |
2DK14 | A | 10 | ≥20 | 15 |
200 |
≤0.1 |
≤0.68 |
B | ≥35 | 30 |
C | ≥45 | 40 |
D | ≥60 | 50 |
100 |
≤0.1 |
E | ≥70 | 60 |
F | ≥80 | 70 |
