特點
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形有：金屬陶瓷封裝（SMD-0.5）、通孔插裝（TO-257）、金屬圓帽封裝（B2-01B）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
2DK560S：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20035-2005;
2DK5100S：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20037-2005;
2DK5100S：JCT、JY1級，ZZR-Q/RBJ20037A-2011;
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃；工作溫度Tamb：-55℃~125℃
型號/參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK240 |
2 | ≥40 | 30 |
20 |
≤0.1 |
≤0.52 |
2DK260 | ≥60 | 50 |
2DK280 | ≥80 | 60 |
2DK340 |
3 | ≥40 | 30 |
30 |
≤0.1 |
≤0.55 |
2DK360 | ≥60 | 50 |
2DK380 | ≥80 | 60 |
2DK3100 | ≥100 | 80 |
2DK440 |
4 | ≥40 | 30 |
50 |
≤0.1 |
≤0.58 |
2DK460 | ≥60 | 50 |
2DK480 | ≥80 | 60 |
2DK4100 | ≥100 | 80 |
2DK4120 | ≥120 | 100 |
2DK540 |
5 | ≥40 | 30 |
50 |
≤0.1 |
≤0.6 |
2DK560 | ≥60 | 50 |
2DK580 | ≥80 | 60 |
2DK5100 | ≥100 | 80 |
2DK5120 | ≥120 | 100 |
