特點(diǎn)
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形有：金屬陶瓷封裝（SMD-1）、通孔插裝（TO-257）、金屬圓帽封裝（B2-01B）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
2DK6100S：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20038-2005;
2DK6100S：JY1級，ZZR(Z)-Q/RBJ20038A-2007;
2DK6120S：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20039-2005;
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃；工作溫度Tamb：-55℃~125℃
型號/ 參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK680 |
6 | ≥80 | 60 |
50 |
≤0.1 |
≤0.68 |
2DK6100 | ≥100 | 80 |
2DK6120 | ≥120 | 100 |
2DK6160 | ≥160 | 140 | ≤0.75 |
2DK6200 | ≥200 | 180 |
2DK860 |
8 | ≥60 | 40 |
60 |
≤0.1 |
≤0.68 |
2DK880 | ≥80 | 60 |
2DK8100 | ≥100 | 80 |
2DK8120 | ≥120 | 100 |
2DK8150 | ≥150 | 130 | ≤0.75 |
