特點(diǎn)
正向?qū)〒p耗?。徽驂航档?；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形有：金屬陶瓷封裝（SMD-2）、通孔插裝（TO-257）、金屬圓帽封裝（B2-01B）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
2DK20200：JP、JT、JCT級，Q/RBJ21058-2009;
2DK30100：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20054-2008;
2DK3040S、2DK3080S：JP、JT、JCT級，Q/RBJ30004-2006;
2DK2040S、2DK2080S：JP、JT、JCT級，Q/RBJ30003-2006;
2DK2045S：JP、JT、JCT級，ZZR(Z)-Q/RBJ22100-2009;
2DK35100S：JP、JT、JCT級，ZZR(Z)-Q/RBJ22101-2009;
2DK35100T、2DK35100S：JP、JT、JCT級，ZZR(Z)-Q/RBJ22102-2009.
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃；工作溫度Tamb：-55℃~125℃
型號/參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK2040 |
10 | ≥40 | 30 |
200 |
≤0.5 |
≤0.7 |
2DK2045 | ≥45 | 45 |
2DK2060 | ≥60 | 50 |
2DK2080 | ≥80 | 60 |
2DK20100 | ≥100 | 80 |
2DK20120 | ≥120 | 100 |
180 |
2DK20150 | ≥150 | 130 | ≤0.82 |
2DK20200 | ≥200 | 180 |
2DK3040 |
30 | ≥40 | 30 |
300 |
≤0.5 |
≤0.78 |
2DK3060 | ≥60 | 50 |
2DK3080 | ≥80 | 60 |
2DK30100 | ≥100 | 80 |
2DK30120 | ≥120 | 100 |
280 |
2DK30150 | ≥150 | 130 | ≤0.88 |
2DK30200 | ≥200 | 180 |
2DK35100S |
35 | ≥100 | 100 | ≤1.22 |
2DK35150a | ≥150 | 130 | ≤0.92 |
2DK35150Tb | ≥150 | 150 | 180 | ≤1.6 |
2DK35200 | ≥200 | 180 | 280 | ≤0.92 |
