特點(diǎn)
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形有：金屬陶瓷封裝（SMD-2）、通孔插裝（TO-258）、金屬圓帽封裝（B2-01C）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
所有產(chǎn)品：G、G+級，QZJ840611；
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃；工作溫度Tamb：-55℃~125℃。
型號(hào)/參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
2DK4060 |
40 | ≥60 | 50 |
420 |
≤0.1 |
≤0.88 |
2DK4080 | ≥80 | 60 |
2DK40100 | ≥100 | 80 |
2DK40150 | ≥150 | 130 | ≤0.95 |
2DK40200 | ≥200 | 180 |
2DK5060 |
50 | ≥60 | 50 |
520 |
≤0.1 |
≤0.75 (IF=0.5IFM) |
2DK5080 | ≥80 | 60 |
2DK50100 | ≥100 | 80 |
2DK50150 | ≥150 | 130 | ≤0.85 (IF=0.5IFM) |
2DK50200 | ≥200 | 180 |
