特點
正向?qū)〒p耗??；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
封裝形式：通孔插裝（MO-078）。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611；
最大額定值和電特性
貯存溫度Tstg：-55℃~150℃
工作溫度Tamb：-55℃~125℃
型號/參數(shù) | 最大額定值 | 主要電特性 |
IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | IR(mA) | VFM(V) |
| IR=0.1mA |
| tp=10ms | VR=0.8VRWM | IF=IFM |
4ZL540 | 5 | ≥80 | 60 | 50 | ≤5 | 1.5 |
4ZL560 | ≥120 | 100 |
4ZL580 | ≥160 | 140 |
4ZL5100 | ≥200 | 180 |
4ZL5120 | ≥240 | 220 |
4ZL5150 | ≥300 | 280 | 1.6 |
4ZL5200 | ≥400 | 380 | 1.7 |
4ZL6160 | 6 | ≥320 | 300 |
