特點
正向?qū)〒p耗小；正向壓降低；
芯片采用硅外延平面結(jié)構(gòu)；
可提供封裝外形有：TO-257(2DK1660T、2DK16100T);TO-254(2DK35150VT)
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
2DK1660T：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20071-2013;
2DK16100T：JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20070-2013;
2DK35150VT：JCT級，Q/RBJ21101-2013。
最大額定值
型號/參數(shù) | IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | Tstg(℃) | Tj(℃) | 替代國外型號 |
| IR=0.1mA |
| tp=8.3ms |
|
|
2DK1660T | 16 | ≥60 | 60 | 250 | -55~150 | -55~150 | 16CYQ060 |
2DK16100T | ≥100 | 100 | -65~150 | -65~150 | 16CYQ100 |
2DK35150VT | 35 | ≥150 | 150 | 280 | -55~150 | -55~150 | 35CGQ150 |
電特性
電參數(shù) | 測試條件 | 2DK1660T | 2DK16100T | 2DK35150VT | 單位 |
最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 |
VFM1 | TC=25℃,IF=0.5IFM | - | 0.58 | - | 0.75 | - | 0.93 | V |
VFM2 | TC=25℃,IF=IFM | - | 0.77 | - | 0.95 | - | 1.18 | V |
VFM3 | TC=125℃,IF=0.5IFM | - | 0.55 | - | 0.66 | - | 0.8 | V |
VFM4 | TC=125℃,IF=IFM | - | 0.79 | - | 0.85 | - | 1.07 | V |
VFM5 | TC=-55℃,IF=0.5IFM | - | 0.63 | - | 0.77 | - | 1.05 | V |
VFM6 | TC=-55℃,IF=IFM | - | 0.79 | - | 0.98 | - | 1.29 | V |
IR1 | VR=VRWM | - | 680 | - | 10 | - | 100 | μA |
IR2 | TC=125℃,VR=VRWM | - | 84 | - | 10 | - | 16 | mA |
Ctot | VR=5V,f=1MHz | - | 700 | - | 480 | - | 800 | pF |
注：本表中電參數(shù)均為單芯的電特性。 |
