特點(diǎn)
正向?qū)〒p耗小、反向恢復(fù)時(shí)間短、正向壓降低；
芯片采用臺(tái)面工藝；
可提供封裝外形有：TO-254(2CZ6766、2CZ6767、2CZ30600);TO-258(2CZ45600、2CZ50200)
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
2CZ6766、2CZ6767：JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ30011-2013;
2CZ30600：JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ30012-2013；JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ21097-2013；
2CZ45600：JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ30012-2013；
2CZ50200：JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ30012-2013；JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ21096-2013；
最大額定值
型號(hào)/參數(shù) | IFM(A) | VBR(V) | VRWM(V) | IFSM(A) | Trr(ns) | Tstg(℃) | 替代國(guó)外型號(hào) |
| IR=0.1mA |
| tp=8.3ms | 單芯 |
|
2CZ6766 | 12 | ≥400 | 400 | 125(單芯) | ≤60 | -65~150 | 1N6766 |
2CZ6767 | 12 | ≥600 | 600 | 125(單芯) | ≤60 | -65~150 | 1N6767 |
2CZ30600 | 30 | ≥600 | 600 | 150(單芯) | ≤80 | -65~150 | HFA35HB60C |
2CZ45600 | 45 | ≥600 | 600 | 225 | ≤120 | -65~150 | HFA45HC60C |
2CZ50200 | 50 | ≥200 | 200 | 300(單芯) | ≤100 | -65~150 | HFB50HC20C |
電參數(shù) | 測(cè)試條件 | 2CZ6766/6767 | 2CZ30600 | 2CZ45600 | 2CZ50200 | 單位 |
最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 | 最小 | 最大 |
VFM1 | TC=25℃,IF=0.5IFM | - | 1.35 | - | 1.9 | - | 1.47 | - | 1.2 | V |
VFM2 | TC=25℃,IF=IFM | - | 1.55 | - | 2.3 | - | 1.81 | - | 1.49 | V |
VFM3 | TC=125℃,IF=0.5IFM | - | - | - | 2.1 | - | 1.37 | - | 0.99 | V |
VFM4 | TC=-55℃,IF=0.5IFM | - | - | - | - | - | 1.87 | - | 1.36 | V |
VFM5 | TC=-55℃,IF=IFM | - | 1.7 | - | - | - | - | - | - | V |
IR1 | VR=VRWM | - | 10 | - | 10 | - | - | - | 10 | μA |
IR2 | TC=125℃,VR=VRWM | - | 1 | - | 1 | - | - | - | 0.1 | mA |
Ctot | VR=5V,f=1MHz | - | 300 | - | 36a | - | 65a | - | 200a | pF |
注：本表中電參數(shù)均為單芯的電特性。a電容測(cè)試條件為VR=200V,f=1MHz. |
