特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ1102-2004;QZJ840611;
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ20062-2010,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG8A |
500 |
2000 |
150 | -25 | -20 |
-4 |
-55~175 |
3CG8B | -35 | -30 |
3CG8C | -45 | -40 |
3CG8D | -55 | -50 |
3CG8E | -65 | -60
|
3CG8F | -75 | -70 |
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.3mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.05 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.05 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.05 | 1 | μA |
hFE | VCE=-2V,IC=50mA | 25 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -1.0 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
fT | VCE=-6V,IC=50mA,f=30MHz | 100 | 200 | - | MHz |
| Cob | VCB=-6V,IE=0mA,f=1MHz | - | 7 | 10 | pF |
