特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QJ/01RBJ009H1-1999;QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20007-2001,GJB33A-1997.
JY1級，ZZR(Z)-Q/RBJ20007A-2007,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG71A |
700 |
2000 |
500 | -20 | -15 |
-5 |
-55~175 |
3CG71B | -40 | -30 |
3CG71C | -60 | -50 |
3CG71D | -80 | -70 |
3CG71E | -100 | -90
|
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照4.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.05 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.05 | 1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=5mA | 30 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | -0.9 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=200mA,IB=20mA | - | -0.3 | -0.8 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 100 | 150 | - | MHz |
