特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG92 |
400 |
1000 |
500 | -300 | -300 |
-6 |
-55~175 |
3CG93 | -200 | -200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.67mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù) 值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
3CG92 | VCBO | IC=0.1mA | -300 | - | - | V |
3CG93 | -200 |
|
|
3CG92 | VCEO | IC=0.1mA | -300 | - | - | V |
3CG93 | -200 |
|
|
VEBO | IE=0.1mA | -6 | - | - | V |
ICBO | VCB=-200V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-200V | - | 0.02 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=10mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=20mA,IB=2mA | - | -0.7 | -1.0 | V |
VCE(sat) | IC=20mA,IB=2mA | - | -0.2 | -0.6 | V |
fT | VCE=-20V,IC=10mA,f=30MHz | 70 | 100 | - | MHz |
