特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，Q/RBJ1108-2004，QZJ840611;
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ20063-2010,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG111A |
300 |
1000 |
50 | -20 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CG111B | -35 | -30 |
3CG111C | -50 | -45 |
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照2mW/℃線(xiàn)性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.7mW/℃線(xiàn)性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=100MHz | 200
| 250
| -
| MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0,f=1MHz | - | 3.5 | 5 | pF |
