特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CG170A |
500 |
2000 |
50 | -80 | -60 |
-4 |
-55~175 |
3CG170B | -120 | -100 |
| 3CG170C | -160
| -140 |
| 3CG170D | -200
| -180
|
3CG170E | -240 | -220 |
| 3CG170T | -400
| -400 |
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.33mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-30V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-30V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=10mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1.0 | V |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.1 | -0.5 | V |
fT | 3CG170A~C | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 100 | 140 | - | MHz |
3CG170D、E、T | 50 | 80 |
