特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UB型。
可替代型號(hào)：BC807.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ |
3CG807 |
250 |
1000 |
1 | -50 | -45 |
-5 |
-55~175 |
aPtot1為T(mén)A=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照1.67mW/℃線性地降額. bPtot2為T(mén)C=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按6.67mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 10 | 100 | nA |
ICEO | VCE=-10V | - | 20 | 100 | nA |
IEBO | VEB=-3.5V | - | 30 | 100 | nA |
hFE | VCE=-1V,IC=100mA | 25 | - | 300 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -1.2 | -1.5 | V |
VCE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.7 | -1 | V |
| fT | VCE=-5V,IC=10mA,f=100MHz | 80 | 200 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | -
| 7
| 10
| pF |
