3CG8550型硅PNP高頻小功率晶體管
3CG8550型硅PNP高頻小功率晶體管
市場(chǎng)價(jià): 0.0
價(jià)格:
1.00
庫存量:
11
購買數(shù)量:
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬或金屬陶瓷封裝;體積小,重量輕;

特征頻率高;在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用;

可提供封裝外形有:A3-01B、SMD-0.2、UA型。

可替代型號(hào):S8550.

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí),QZJ840611;


最大額定值


型號(hào)

Ptot1a

Ptot2b

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

mW

mW

A

V

V

V

3CG8550

500

1000

0.5

-40

-25

-5

-55~175

aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率;TA>25℃時(shí),按照3.33mW/℃線性地降額.

bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率;TC>25℃時(shí),按6.67mW/℃線性地降額.


電特性

   數(shù)

數(shù)

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

-40

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

-25

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

-5

-

-

V

ICBO

VCB=-40V

-

0.05

0.1

μA

ICEO

VCE=-20V

-

0.1

0.2

μA

IEBO

VEB=-3V

-

0.05

0.1

μA

hFE

VCE=-1V,IC=50mA

80

-

300

-

VBE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

-0.4

-0.6

V

VCE(sat)

IC=500mA,IB=50mA

-

-1

-1.2

V

fT

VCE=-6V,IC=20mA,f=30MHz

150200-MHz


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029-85251919