特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UA型。
可替代型號：S8550.
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | A | V | V | V | ℃ |
3CG8550 |
500 |
1000 |
0.5 | -40 | -25 |
-5 |
-55~175 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照3.33mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.67mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-40V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 0.1 | 0.2 | μA |
IEBO | VEB=-3V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=50mA | 80 | - | 300 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
VCE(sat) |
IC=500mA,IB=50mA | - | -1 | -1.2 | V |
| fT | VCE=-6V,IC=20mA,f=30MHz | 150 | 200 | - | MHz |
