特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間??；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20029-2004,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3CK5A |
5 |
1.5 | -15 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CK5B | -30 | -20 |
| 3CK5C | -40 | -30 |
| 3CK5D | -50 | -40 |
3CK5E | -60 | -50 |
aPtot為TC=75℃時(shí)的最大額定功率；TC＞75℃時(shí)，按50mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.2 | 3 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 2 | 30 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.2 | 3 | μA |
hFE | VCE=-5V,IC=200mA | 50 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=400mA,IB=80mA | - | -1.2 | -1.5 | V |
VCE(sat) |
IC=400mA,IB=80mA | - | -0.4 | -0.8 | V |
fT | VCE=-10V,IC=100mA,f=30MHz | 50 | 100 | - | MHz |
ton | IC=500mA,IB=50mA | - | 30 | 80 | ns |
toff | 3CG5A~C |
IC=500mA,IB=50mA
|
- | 180 | 200 |
ns |
3CG2E、D | 270 | 300 |
