特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時間小；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QJ/01RBJ023H1-2000,QZJ840611;
A3-02B型JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20030-2004,GJB33A-1997.
A3-02B型JY1級增長(JY1/K)，ZZR(Z)-Q/RBJ22007-2007,GJB33A-1997.
SMD-0.2型JY1級增長(Y1/K+)，ZZR(Z)-Q/RBJ22016-2011,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | Ptot3c | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK10A |
840 |
1000 |
2000 |
1000 | -25 | -20 |
-4 |
-55~175 |
3CK10B | -35 | -30 |
| 3CK10C | -40 | -35 |
| 3CK10D | -35 | -30 |
3CK10E | -45 | -40 |
| 3CK10F | -55 | -50 |
| 3CK10G | -80 | -75 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱帽時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照5.6mW/℃線性地降額. bPtot2為TA=25℃,加散熱帽時的最大額定功率；TA＞25℃時，按6.67mW/℃線性地降額.
cPtot3為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -25 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 5 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-4V | - | 0.02 | 5 | μA |
hFE | VCE=-6V,IC=100mA | 40 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=500mA,IB=50mA | - | -0.9 | -1.5 | V |
VCE(sat) |
IC=500mA,IB=50mA | - | -0.2 | -1 | V |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 100 | 200 | - | MHz |
ton |
IC=500mA,IB=50mA | - | 20 | 60 | ns |
toff | 3CG10A~C |
IC=500mA,IB=50mA
|
- | 180 | 200 |
ns |
3CG10E、D | 130 | 150 |
3CG10F、G | 180 | 200 |
