特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關時間??；在各種電路中作開關及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-01B、SMD-0.2、UB型。
質量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK113A |
300 |
1000 |
100 | -20 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CK113B | -35 | -30 |
| 3CK113C | -50 | -45 |
| 3CK113D | -20 | -15 |
3CK113E | -35 | -30 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照2mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按6.7mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數 | 數值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
IEBO | VEB=-4V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=30mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=5mA | - | -0.8 | -0.95 | V |
VCE(sat) |
IC=50mA,IB=5mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
fT | VCE=-10V,IC=10mA,f=30MHz | 150 | 250 | - | MHz |
Cob
| VCB=-10V,IE=0mA,f=1MHz | -
| 3.5
| 7
| pF
|
ton |
IC=50mA,IB=5mA | - | 20 | 50 | ns |
toff | 3CK113A~C |
IC=50mA,IB=5mA |
- | 100 | 120 |
ns |
3CG113D、E | 70 | 80 |
