特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；開關(guān)時(shí)間?。辉诟鞣N電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UB型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QJ/01RBJ022H1-1999,QZJ840611;
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ20008-2001,GJB33A-1997.
JCT級(jí)(可靠性增長(zhǎng))，Q/RBJ22002-2003,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
mW | mW | mA | V | V | V | ℃ |
3CK120A |
500 |
2000 |
200 | -20 | -15 |
-4 |
-55~175 |
3CK120B | -35 | -30 |
| 3CK120C | -50 | -45 |
| 3CK120D | -20 | -15 |
3CK120E | -35 | -30 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照3.3mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按13.3mW/℃線性地降額. |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -20 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -15 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -4 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
IEBO | VEB=-1.5V | - | 0.02 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=100mA | 25 | - | 180 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -0.95 | V |
VCE(sat) |
IC=100mA,IB=10mA | - | -0.1 | -0.3 | V |
fT | VCE=-10V,IC=50mA,f=30MHz | 150 | 250 | - | MHz |
ton |
IC=100mA,IB=10mA | - | 20 | 50 | ns |
toff | 3CK120A~C |
IC=100mA,IB=10mA |
- | 90 | 110 |
ns |
3CG120D、E | 50 | 60 |
