特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ1300-2004,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ |
3CA1A |
1 |
2 |
0.5
| -30 | -30 |
-5 |
-55~175 |
3CA1B | -50 | -50 |
| 3CA1C | -80 | -80 |
| 3CA1D | -100 | -100 |
| 3CA1E | 0.2
| -130 | -130 |
| 3CA1F | -150 | -150 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照6.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 0.02 | 0.2 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 0.02 | 2 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.02 | 1 | μA |
hFE | VCE=-20V,IC=10mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=50mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=50mA,IB=10mA | - | -0.3 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=10mA,f=10MHz | 50 | 100 | - | MHz |
