特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-0.5、TO-257型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，Q/RBJ1301-2004,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3CA2A |
2 |
1
| -30 | -30 |
-5 |
-55~175 |
3CA2B | -50 | -50 |
| 3CA2C | -80 | -80 |
| 3CA2D | -100 | -100 |
| 3CA2E | 0.5
| -130 | -130 |
| 3CA2F | -150 | -150 |
aTA＞25℃,按照13.3mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-20V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-20V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=-20V,IC=50mA | 20 | - | 150 | - |
VBE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.8 | -1 | V |
VCE(sat) | IC=100mA,IB=10mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=50mA,f=10MHz | 50 | 100 | - | MHz |
