特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-267型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級，QZJ840611;
3CA238:JP、JT、JCT級，Q/RBJ21024-2005,GJB33A-1997.
3DA237:JP、JT、JCT級，Q/RBJ21022-2005,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICMC | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V
| V | ℃ |
3CA238 |
1.5 | 25 | 2
| -100 | -100
| -5 |
-55~175 |
3DA237 | 100 | 100
| 5 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照6.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按13.3mW/℃線性地降額. CICM為集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)通過發(fā)射極的直流電流的最大值。
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 100 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 100 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICBO | VCB=30V | - | 2 | 100 | μA |
ICEO | VCE=30V | - | 2 | 100 | μA |
IEBO | VEB=2V | - | 2 | 100 | μA |
hFE1 | VCE=2V,IC=150mA | 80 | - | 120 | - |
hFE2 | VCE=4.2V,IC=6A | 3 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=300mA,IB=100mA | - | 1.2 | 1.5 | V |
VCE(sat) | IC=300mA,IB=100mA | - | 0.4 | 0.6 | V |
| fT | VCE=10V,IC=100mA,f=10MHz | 3 | 20 | - | MHz |
