特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：SMD-1、TO-257、TO-66型。
替代國(guó)外型號(hào)：2N3741
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
JP、JT、JCT級(jí)，ZZR-Q/RBJ20059-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3CA3741 |
25 | 4
| -80 | -80 |
-7 |
-55~200 |
aPtot為T(mén)A=25℃,加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照143mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -80 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -7 | - | - | V |
ICBO | VCB=-80V | - | 0.3 | 0.1 | μA |
ICEO | VCE=-60V | - | 1 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-7V | - | 0.05 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-1V,IC=250mA | 30 | - | 120 | - |
VCE(sat)1 | IC=250mA,IB=25mA | - | -0.2 | -0.4 | V |
VCE(sat)2 | IC=1A,IB=125mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=100mA,f=10MHz | 5 | 60 | - | MHz |
ton
| IC=1A,IB=100mA | - | 200
| 400
| ns
|
toff
| IC=1A,IB=100mA | -
| 900
| 1000
| ns |
