特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ |
3CA4930 |
1 | 5 | 0.5
| -200 | -200 |
-5 |
-65~200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照5.7mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率；TC＞25℃時(shí)，按28.6mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -200 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-50V | - | 0.25 | 0.5 | μA |
ICEO | VCE=-50V | - | 0.5 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.5 | 0.1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=30mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.8 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.4 | -0.6 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=10mA,f=10MHz | 80 | 120 | 200 | MHz |
