特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
替代國外型號：2N4931.
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
JP、JT、JCT級，ZZR-Q/RBJ20057-2009,GJB33A-1997.
最大額定值
型號 | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ |
3CA4931 |
1 | 5 | 0.2
| -250 | -250 |
-5 |
-65~200 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時的最大額定功率；TA＞25℃時，按照5.7mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時的最大額定功率；TC＞25℃時，按28.6mW/℃線性地降額.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -250 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -250 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-200V | - | 0.15 | 0.25 | μA |
IEBO | VEB=-4V | - | 0.05 | 0.15 | μA |
hFE1 |
VCE=-10V,IC=1mA | 40 | - | - | - |
hFE2 | VCE=-10V,IC=10mA | 40 | - | - | - |
hFE3 | VCE=-20V,IC=50mA | 30 | - | 200 | - |
VBE(sat)1 | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.8 | -1 | V |
VBE(sat)2 | IC=30mA,IB=3mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat)1 | IC=10mA,IB=1mA | - | -0.3 | -1 | V |
VCE(sat)2 | IC=30mA,IB=3mA | - | -0.5 | -1.2 | V |
| fT | VCE=-20V,IC=10mA,f=30MHz | 40 | 80 | 160 | MHz |
| Cob | VCB=-20V,IE=0,f=1MHz | - | 7
| 15 | pF |
