特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、SMD-1、TO-257、UA型。
替代國(guó)外型號(hào)：2N5322、2N5323.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ |
3CA5322 |
2 | 10 | 2
| -100 | -75 |
-5 |
-55~175 |
3CA5323 | -75 | -50 |
aPtot1=2W需加散熱片或冷風(fēng)，保持殼溫不超過(guò)75℃. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率； |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -75 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -50 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 0.2 | 1 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE | VCE=-10V,IC=100mA | 25 | - | 250 | - |
VBE(sat) | IC=1A,IB=200mA | - | -1 | -1.2 | V |
VCE(sat) | IC=1A,IB=200mA | - | -0.7 | -1 | V |
| fT | VCE=-10V,IC=100mA,f=10MHz | 50 | 80 | - | MHz |
