特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：A3-02B、SMD-0.2、UA型。
替代國(guó)外型號(hào)：2N5781、2N5782、2N5783.
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptot1a | Ptot2b | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | W | A | V | V | V | ℃ |
3CA5781 |
1 |
10 |
3.2
| -80 | -80 |
-5 |
-55~175 |
3CA5782 | -65 | -65 |
| 3CA5783 | -45 | -45 |
aPtot1為TA=25℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率；TA＞25℃時(shí)，按照6.67mW/℃線性地降額. bPtot2為TC=25℃時(shí)的最大額定功率； |
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | -45 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | -45 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | -5 | - | - | V |
ICBO | VCB=-10V | - | 0.2 | 1 | μA |
ICEO | VCE=-10V | - | 2 | 10 | μA |
IEBO | VEB=-2V | - | 0.2 | 1 | μA |
hFE1 | VCE=-2V,IC=200mA | 25 | - | 250 | - |
hFE2 | VCE=-2V,IC=1600mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=1.6A,IB=160mA | - | -1.3 | -1.5 | V |
VCE(sat) | IC=1.6A,IB=160mA | - | -0.3 | -0.5 | V |
| fT | VCE=-2V,IC=100mA,f=10MHz | 20 | 50 | - | MHz |
