特點(diǎn)
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開(kāi)關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級(jí)，QZJ840611;
最大額定值
型號(hào) | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3DA14A |
5 |
0.75
| 40 | 30 |
4 |
-65~175 |
3DA14B | 70 | 60 |
| 3DA14C | 100 | 90 |
aPtot為T(mén)C=75℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號(hào) | 測(cè)試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 30 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 4 | - | - | V |
ICBO | VCB=20V | - | - | 0.2 | mA |
ICEO | VCE=10V | - | - | 0.01 | mA |
IEBO | VEB=3V | - | - | 0.01 | mA |
hFE | VCE=5V,IC=200mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=0.3A,IB=60mA | - | - | 1.5 | V |
VCE(sat) | IC=0.3A,IB=60mA | - | - | 1 | V |
| fT | VCE=10V,IC=200mA,f=30MHz | 150 | - | - | MHz |
