特點
金屬或金屬陶瓷封裝；體積小，重量輕；
特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及高頻放大與振蕩用；
可提供封裝外形有：B2-01B、SMD-1、TO-257型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標準
G、G+級，QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3DA31A |
1.5 |
3
| 40 | 40 |
5 |
-65~175 |
3DA31B | 60 | 60 |
| 3DA31C | 80 | 80 |
| 3DA31D | 100
| 100
|
aPtot為TC=25℃,不加散熱片時的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 40 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICEO | 3DA31A、B | VCB=30V | - | - | 0.3 | mA |
| 3DA31C、D | VCE=60V | - | - | 0.3
| mA |
IEBO | VEB=5V | - | - | 1 | mA |
hFE | VCE=10V,IC=100mA | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | 1.8 | V |
VCE(sat) | IC=3A,IB=375mA | - | - | 1.2 | V |
