特點(diǎn)
金屬封裝;體積小,重量輕;
特征頻率高;在各種電路中作開關(guān)及放大與振蕩用;
可提供封裝外形有:B2-01C、SMD-2、TO-254型。
質(zhì)量等級及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)
G、G+級,QZJ840611;
最大額定值
型號 | Ptota | ICM | VCBO | VCEO | VEBO | Tstg,Tj |
W | A | V | V | V | ℃ |
3DD03A |
30 |
3
| 70 | 60 |
5 |
-65~175 |
3DD03B | 90 | 80 |
3DD03C | 110 | 100 |
aPtot為TC=75℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率.
|
電特性
參 數(shù) | 數(shù)值 | 單位 |
符號 | 測試條件 | 最小值 | 典型值
| 最大值 |
VCBO | IC=0.1mA | 70 | - | - | V |
VCEO | IC=0.1mA | 60 | - | - | V |
VEBO | IE=0.1mA | 5 | - | - | V |
ICEO | VCE=0.5VCEO | - | - | 0.5 | mA |
ICBO | VCB=0.5VCBO | - | - | 0.05 | mA |
IEBO | VEB=3V | - | - | 0.01 | mA |
hFE | VCE=10V,IC=0.5A | 20 | - | - | - |
VBE(sat) | IC=2.5A,IB=500mA | - | - | 1.5 | V |
VCE(sat) | IC=2.5A,IB=500mA | - | - | 1 | V |