3DD03型硅NPN低頻大功率晶體管
3DD03型硅NPN低頻大功率晶體管
市場(chǎng)價(jià)： ￥0.0
價(jià)格：
￥1.00
庫(kù)存量：
11
購(gòu)買數(shù)量：
產(chǎn)品詳情

特點(diǎn)

金屬封裝；體積小，重量輕；

特征頻率高；在各種電路中作開關(guān)及放大與振蕩用；

可提供封裝外形有：B2-01C、SMD-2、TO-254型。

質(zhì)量等級(jí)及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)

G、G+級(jí)，QZJ840611;


最大額定值


型號(hào)

Ptota

ICM

VCBO

VCEO

VEBO

Tstg,Tj

W

A

V

V

V

℃

3DD03A


30


3

70

60


5


-65~175

3DD03B

90

80

3DD03C110100

aPtot為TC=75℃,不加散熱片時(shí)的最大額定功率.


電特性

參   數(shù)

數(shù)值

單位

符號(hào)

測(cè)試條件

最小值

典型值

最大值

VCBO

IC=0.1mA

70

-

-

V

VCEO

IC=0.1mA

60

-

-

V

VEBO

IE=0.1mA

5

-

-

V

ICEO

VCE=0.5VCEO

-

-

0.5

mA

ICBO

VCB=0.5VCBO

-

-

0.05

mA

IEBO

VEB=3V

-

-

0.01

mA

hFE

VCE=10V,IC=0.5A

20

-

-

-

VBE(sat)

IC=2.5A,IB=500mA

-

-

1.5

V

VCE(sat)

IC=2.5A,IB=500mA

-

-

1

V
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